MEE15N10-G دیتاشیت

MEE15N10-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MEE15N10-G
حجم فایل 81.878 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت MEE15N10-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI MEE15N10-G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 37.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 314pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 15.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,8A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: MATSUKI

محصولات مشابه